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NP161N04TUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
3
V GS = 10 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
2.5
2
1.5
I D = 80 A
10000
C iss
C oss
1
0.5
0
Pulsed
1000
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
-75
-25
25
75
125
175
225
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
t f
40
35
V DD = 32 V
12
t d(off)
30
20 V
9
100
10
t d(on)
t r
25
20
15
8V
V GS
6
1
V DD = 20 V
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
10
5
0
V DS
I D = 160 A
Pulsed
3
0
0.1
1
10
100
1000
0
50
100
150
200
250
1000
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V GS = 10 V
1000
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
10
0V
1
10
0.1
0.01
Pulsed
1
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
1000
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D19411EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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